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本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻G
171
2018-10-09
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本发明公开了一种基于超像素的SAR图像CFAR检测方法，主要解决现有恒虚警CFAR检测算法在多目标环
201
2018-10-09
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本发明公开了一种多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法，主要解决现有1‑3结构的复合材料
177
2018-10-09
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一种识别Alpha稳定分布噪声下数字调制信号的方法，所述方法包括以下步骤：对接收到的信号x(t)做预
189
2018-10-09
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本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过P型埋层和N型buf
163
2018-10-09
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本发明属于干涉式阵列波达角估计技术领域，特别涉及基于L型干涉式线性阵列的二维波达角估计方法。本发明包
166
2018-10-09
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