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P型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

1592018/10/09
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 其他电子信息
  • 项目名称 P型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过P型埋层和N型buffer层的共同作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，P型埋层可以提高N型buffer层的浓度，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压，低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/10/09
  • 委托机构 西安电子科技大学
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