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一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管

1672018/10/09
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 其他电子信息
  • 项目名称 一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻GaN层的源端到栅电极部分使用P型掺杂的GaN，于是在栅压为零时，由于P型GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使得电子无法到达源电极实现器件导通，器件处于关断状态；当栅极加正电压时，栅极下的2DEG浓度提高，使其能带高度下降，随着电压进一步增大，2DEG能带高度进一步下降，2DEG与P型GaN的势垒厚度也不断减小，直到在漏源电压的作用下发生遂穿，实现器件导通。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/10/09
  • 委托机构 西安电子科技大学
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