本发明公开了一种多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法,主要解决现有1‑3结构的复合材料
一种识别Alpha稳定分布噪声下数字调制信号的方法,所述方法包括以下步骤:对接收到的信号x(t)做预
本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件。与传统的SJ‑LDMOS相比,本发明通过P型埋层和N型buf
本发明属于干涉式阵列波达角估计技术领域,特别涉及基于L型干涉式线性阵列的二维波达角估计方法。本发明包
本发明公开了一种具有悬浮结构的氮化硅膜致应变的锗LED器件及其制备方法,包括硅衬底、埋层氧化物和横向
本发明公开了一种多任务环境下进程检查点的保存与恢复系统及方法,系统包括:任务进程单元、协调者进程模块