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具有悬浮结构的氮化硅膜致应变的锗LED器件及其制备方法

1692018/10/09
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 其他电子信息
  • 项目名称 具有悬浮结构的氮化硅膜致应变的锗LED器件及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种具有悬浮结构的氮化硅膜致应变的锗LED器件及其制备方法，包括硅衬底、埋层氧化物和横向P‑I‑N结构的锗膜，所述硅衬底为体硅材料衬底，所述埋层氧化物层为二氧化硅层，所述P‑I‑N结构锗膜内P区掺杂杂质为硼，所述P区通过热扩散形成，所述热扩散的烘烤温度为200℃，时间为20分钟，退火温度为350℃，退火时间为30分钟。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够通过调整氮化硅膜的结构改变张应力大小以实现锗光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率，光稳定性，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/10/09
  • 委托机构 西安电子科技大学
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