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2019/04/08
咨询需求
发布需求基本信息
- 需求标题 SiC外延片产业化技术开发
- 需求主体 企业用户
- 行业领域 其他电子信息
- 需求类型
- 需求介绍 希望提供：SiC外延生长过程中缺陷形成机理方面的研究；SiC外延生长过程中缺陷抑制技术的开发。希望最终实现：1.针对4英寸、6英寸4H-SiC外延生长，探索研究三角形缺陷、层错等缺陷的形成机制；2.开发出低缺陷密度的高质量4英寸、6英寸4H-SiC外延片，实现表面三角形缺陷密度小于0.2 cm-2，层错密度小于0.5 cm-2。