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本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H‑SiC半绝
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2018-08-17
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本发明公开了一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‑SiC半绝缘
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2018-08-17
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本发明公开了基于次氯酸根氧化进行石墨烯量子点制备的方法,具体步骤为:将固体氧化石墨分散在去离子水中,
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2018-08-17
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本发明公开了一种交分多址接入中继系统的去噪互信息保持量化转发方法,包括以下步骤:一、信源对发送信号进
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2018-08-17
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本发明公开了一种基于相移量机电耦合的分布式MEMS移相器工作电压的调整方法,包括确定分布式MEMS移
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2018-08-17