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本发明公开了一种基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN
298
2018-08-15
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本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ‑LDMOS器
292
2018-08-15
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本发明公开了一种基于数据包长度的信息隐藏与传输的方法及系统，模拟计算机网络中的常用协议通信过程，在不
297
2018-08-15
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本发明涉及一种基于骨干节点构建传感器网络中信息势域的方法和系统。其中所述方法包括以下步骤：为传感器网
464
2018-08-15
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本发明公开了一种基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑
294
2018-08-15
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本发明公开了一种基于均值漂移和邻域信息的模糊C均值图像分割方法，主要解决现有图像分割方法的分割精确低
286
2018-08-15
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