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基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法

2942018/08/15
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有p‑GaN层，P‑GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小，同时采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/02/27
  • 委托机构 西安电子科技大学
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