意向交易额:
面议
本发明公开了一种基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法,自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN
299
2018-08-15
意向交易额:
面议
本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ‑LDMOS器
293
2018-08-15
意向交易额:
面议
本发明公开了一种基于数据包长度的信息隐藏与传输的方法及系统,模拟计算机网络中的常用协议通信过程,在不
298
2018-08-15