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本发明公开了一种拼接薄膜反射面天线的薄膜分片切割装置,其包括圆环形运动机构、圆弧形运动机构、转向机构
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2018-08-27
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本发明实施例涉及一种提高垂直导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法,包括:在N+SiC衬底上经
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2018-08-27
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本发明涉及一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件,其特征在于,其包括金属、SiO2隔离介质、
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2018-08-27
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本发明实施例涉及一种提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法,包括:在P型SiC衬底上经
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2018-08-27