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多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法
多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法
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2023/12/05
基本信息
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成果类型
高等院校
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委托机构
西安电子科技大学
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成果持有方
西安电子科技大学
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行业领域
微电子
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项目名称
多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法
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知识产权
发明专利
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成果成熟度
已有样品
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项目简介
<p>（一）项目背景：磁电材料是多铁性材料中的一类，是指在一定的温度范围内同时具有铁电性和铁磁性的材料。磁电材料由于其内部存在铁电-铁磁交叉耦合效应，使得利用电场改变磁化与利用磁场改变电极化成为可能。然而单相铁电磁多功能材料具有居里温度过低和磁电耦合系数太弱的缺点,导致离实用化距离相差太远,为此出现了磁电复合材料。与单相磁电材料不同，人们可以选择居里温度和尼尔温度远高于室温的铁电材料和铁磁材料，将两种材料进行成功的复合后，可能产生单相材料不具有的“乘积效应”，提高磁电耦合的系数和灵敏度后可实现实用化。最近，大量的实验说明磁电复合薄膜可以由物理沉积技术制备而成，因此制备磁电复合薄膜不再是问题所在了。相比体多铁材料，磁电复合薄膜可以通过晶格应力和界面相互作用来调节磁电耦合特性。</p><p>磁电复合薄膜的磁电特性主要由铁电材料的压电效应和铁磁材料的磁致收缩效应决定的。两者通过表面的耦合，实现磁控制电或电控制磁。但由于存在衬底的钳制，严重的影响了磁电耦合。2004年，H.Zheng等成功制备了1-3结构的钛酸钡-铁酸钴纳米复相材料，该材料所说提高了磁电系数，减小了衬底钳制效应，但却存在漏电的缺陷。</p><p>（二）项目简介：主要解决现有1-3结构的复合材料不能同时减小衬底钳制效应和漏电的问题。其实现步骤是：先在蓝宝石衬底沉积一层氧化镁薄膜，并在其上交错沉积多层铁酸钴薄膜和多层钛酸钡薄膜；再在最后一层钛酸钡薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯的磁电复合薄膜与蓝宝石衬底脱离；再将脱离蓝宝石衬底的磁电复合薄膜转移到后续所需的衬底上，得到多层铁酸钴薄膜和多层钛酸钡薄膜复合的自支撑磁电薄膜。本发明得到的多层钛酸钡和多层铁酸钴复合薄膜表面耦合大，增强了磁电特性，减小了衬底钳制和漏电问题，可用于磁电传感器的制备。</p><p>（三）项目技术：1)在蓝宝石衬底上生长氧化镁薄膜；2)在氧化镁薄膜上沉积第一层铁酸钴薄膜；3)在第一层铁酸钴薄膜上沉积第一层钛酸钡薄膜；4)在第一层钛酸钡薄膜上沉积第二层铁酸钴薄膜；5)在第二层铁酸钴薄膜上沉积第二层钛酸钡薄膜；6)形成附有聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的铁酸钴钛酸钡磁电复合薄膜；7)将附有聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的铁酸钴钛酸钡磁电复合薄膜与衬底分离；8)转移得到四层自支撑磁电复合薄膜；</p><p><br/></p>
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交易信息
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意向交易额
面议
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挂牌时间
1970/01/01
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委托机构
西安电子科技大学
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