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超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法
超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法
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2023/12/05
基本信息
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成果类型
高等院校
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委托机构
西安电子科技大学
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成果持有方
西安电子科技大学
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行业领域
微电子
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项目名称
超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法
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知识产权
发明专利
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成果成熟度
已有样品
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项目简介
<p>（一）项目背景：铁电材料因其具有铁电性，压电性，高介电常数，光电特性，热电等特性，可实现多种应用，得到了大家广泛的关注。铁电材料是热释电材料中的一类，其特点是不仅具有自发极化，而且在一定温度范围内，自发极化偶极矩能随外施电场的方向而改变，并随电场呈现出明显的铁电滞回线。铁电材料通常具有正和负方向两个状态，由此可以根据不同的两个状态作为存储器应用，而其固有的压电性能也可以作为压电及声光材料，但是少部分铁电材料的压电常数不是很高，通常作为介电调制器，换能器件。过去对铁电材料的应用主要是利用它们的压电性、热释电性、电光性能以及高介电常数。近年来，由于新铁电材料薄膜工艺的发展，铁电材料在信息存储、图像显示和全息照像中的编页器、铁电光阀阵列作全息照像的存储等已开始应用。</p><p>因此研究铁电材料具有重要意义，众多研究者研究其与半导体相结合，想充分发挥铁电材料和半导体材料的特性。铁电材料的自发极化可以调节半导体材料的界面电荷，改变半导体表面的电势能。铁电材料的压电效应可以使半导体表面发生形变，改变半导体的能级。但由于晶格失配问题，不能直接在半导体材料上沉积单晶铁电材料，因此需要大量的缓冲层，增加了制造工艺的复杂度。</p><p>（二）项目简介：本项目主要解决现有技术不能直接在半导体材料上沉积单晶钛酸钡薄膜问题。</p><p>（三）项目技术：技术在于：1.在蓝宝石衬底沉积一层单晶氧化镁薄膜；2.在单晶氧化镁薄膜上沉积单晶钛酸钡薄膜；3.在单晶钛酸钡薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的钛酸钡薄膜与衬底脱离；4.将脱离蓝宝石衬底的单晶钛酸钡薄膜转移到后续所需的半导体衬底上，得到超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜。本发明能实现在半导体衬底上生长单晶钛酸钡薄膜，且单晶钛酸钡薄膜的厚度仅为几个纳米，保证了光源照射的可靠性，可用于半导体器件制备。</p><p><br/></p>
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交易信息
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意向交易额
面议
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挂牌时间
1970/01/01
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委托机构
西安电子科技大学
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咨询成果
发布成果