意向交易额:
面议
本发明公开了一种栅控垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管,把晶体管的沟道区和JFET区从上表面和
280
2020-06-08
意向交易额:
面议
本发明公开了一种具有钝化层电荷补偿的新AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新的晶体结构是在晶体
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2020-06-08