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基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法

2002018/10/12
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将Si衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～3×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～3×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作c面GaN黄光发光二极管。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/10/12
  • 委托机构 西安电子科技大学
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