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基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法

2022018/09/19
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 其他电子信息
  • 项目名称 基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明涉及一种基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法。该方法包括：选取β‑Ga2O3衬底；在β‑Ga2O3衬底表面生长β‑Ga2O3材料形成同质外延层；在同质外延层表面生长上生长Ir2O3材料形成异质外延层；刻蚀异质外延层和同质外延层形成梯形结构；在异质外延层表面形成顶电极；在β‑Ga2O3衬底下表面形成底电极，最终形成APD探测器二极管。本发明采用β‑Ga2O3材料，发挥该材料在深紫外光区域和可见光区域的极高光透率和透明度，并确保了APD探测器的耐压极高、击穿电场较高，适合高频、高辐射、高温高压等极端环境，在极端环境下不仅器件可靠性大幅提高，探测性能也将优于目前的APD探测器。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/09/19
  • 委托机构 西安电子科技大学
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