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具有坡形栅极的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管及制作方法

1652018/09/18
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 具有坡形栅极的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管及制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种具有坡形栅极的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道层的上端面设置向源极帽层一侧倾斜的坡形槽，坡形槽内设有坡形栅极，坡形栅极的下端面与坡形槽相配合，坡形栅极的上端面与N型沟道层的上端面平行，所述坡形栅极与源极帽层之间距离小于坡形栅极与漏极帽层之间的距离。本发明的场效应晶体管具有漏极输出电流大、频率特性优良的特点。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/09/18
  • 委托机构 西安电子科技大学
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