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分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法

1912018/09/14
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法，其步骤依次为对N‑/N+型SiC外延片表面清洗；刻出P‑base区并高温Al离子注入；刻出N+掺杂源区并高温N离子注入；刻出P型掺杂接触区域并P型掺杂高温Al离子注入；在N‑/N+型SiC外延片表面形成碳保护膜；1600℃高温离子注入退火；表面碳膜去除；酸清洗；Al2O3/Nitrided‑SiO2复合栅介质层的生长；底部漏电极生长；涂剥离胶、光刻胶、刻出源接触孔，进行源金属淀积，并剥离形成源图形；对进行了源漏电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成；栅、源互连电极形成，最后得到器件成品。本发明使用本制作方法，可以有效减小栅泄漏电流，提高栅介质层的质量。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/09/14
  • 委托机构 西安电子科技大学
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