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基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法

1802018/09/14
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 其他电子信息
  • 项目名称 基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法，晶体管的集电极和发射极区均采用GeSi材料；光吸收区、基极区均采用GeSn材料。发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在发射极区、基极区、光吸收区、集电极区的外围。本发明晶体管的制作方法采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn材料，标准CMOS制作工艺。本发明通过使用有高光吸收系数的GeSn材料在光吸收区，分别和GeSi发射极区、集电极区构成异质结，实现晶体管在探测红外光信号时光灵敏度和光电流的提升，具有高的光吸收效率。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/09/14
  • 委托机构 西安电子科技大学
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