西部产学研在线服务平台
| 关注我们
扫描二维码
口袋专利

专利在线查询

描二维码
西部产学研在线

官方公众号

|关于我们
平台简介 帮助中心
|网站导航
| 咨询热线：029-88202821
您当前的位置：科技成果 > 基于notch结构的GaN耿氏二极管及制作方法

基于notch结构的GaN耿氏二极管及制作方法

1722018/09/03
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 基于notch结构的GaN耿氏二极管及制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于notch结构的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件中渡越层位错浓度高、散热性差的问题。该二极管自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、下n+GaN阴极欧姆接触层、AlGaN电子发射层、上n+GaN阴极欧姆接触层、GaN notch层、n‑GaN渡越层和n+GaN阳极欧姆接触层的多层结构，Al组分自下而上由0％线性渐变到20％。在下n+GaN阴极欧姆接触层的上方和SiC衬底的下方分别设有环形电极和衬底电极，n+GaN阳极欧姆接触层的上方为圆形电极，环形电极和圆形电极上方设有钝化层。本发明能显著降低位错浓度，减小“死区”长度，适用于太赫兹频段工作。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/10/24
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 分享至：