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一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法

1952018/09/01
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法；旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层的表面分别设置有源电极和漏电极，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有阶梯状的栅电极，栅电极和N型沟道层两侧形成左侧沟道和右侧沟道。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/11/07
  • 委托机构 西安电子科技大学
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