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一种制备基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管的方法

1742018/08/31
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种制备基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管的方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2)，外延层的上方四周和中部分别设有隔离槽(3)和栅极(6)，栅极两侧边界到隔离槽内边界之间的外延层中设有源漏有源区(4)，栅极两侧边界下方的外延层中设有轻掺杂源漏区(5)，栅极正下方位于两个轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道，在与沟道长度方向平行的两个侧边隔离槽底部，即该处的外延层界面上插有冗余掺杂区(7)。本发明提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/11/21
  • 委托机构 西安电子科技大学
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