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提高横向导电结构 SiC MOSFET 沟道迁移率的方法

1942018/08/27
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 提高横向导电结构 SiC MOSFET 沟道迁移率的方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明实施例涉及一种提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法,包括：在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N‑漂移区；在N‑漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区；对已形成源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化；RCA清洗，使得在外延表面形成Si界面结构；将SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理，将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层；在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火，形成隔离介质层；制备多晶硅栅极和源、漏金属电极，从而形成所述横向导电结构SiC MOSFET。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/12/01
  • 委托机构 西安电子科技大学
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