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含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法

2082018/08/27
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明属于涉及含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法，其包括以下步骤：(1)确定电路中所使用的硅通孔类型；(2)从电路中提取硅通孔各层材料和晶体管的物理参数；(3)利用应力的数学模型，得到圆柱坐标系下的单个硅通孔各层材料的径向应力和环向应力；(4)求解应力表达式中各系数的边界条件；(5)将圆柱坐标系下的应力转换到笛卡尔坐标系下的应力；(6)根据线性叠加准则得到由多个硅通孔引起的总的热应力分布；(7)计算不同沟道方向下的载流子迁移率变化的影响；(8)将载流子迁移率的变化添加到电路的门级网表中，在时序约束条件下，运行PrimeTime进行静态时序分析，得到电路的最长路径延时和时序裕量变化情况。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/12/08
  • 委托机构 西安电子科技大学
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