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一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法

2512018/08/27
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S21|和噪声系数NF，(2)对待测样品持续注入一定时间，(3)测量本次注入后待测样品的|S21|和NF，(4)增大注入信号平均功率，反复进行(2)和(3)两步，直到|S21|和NF发生剧烈恶化为止；四、绘制|S21|和NF随着注入功率Pin增大而变化的双y轴坐标系曲线图，从中提取退化功率阈值和损伤功率阈值。本发明的有益之处在于：功率注入效果更好，阈值测量结果更能反映出低噪放实际工作条件下的抗功率程度；可得到退化功率阈值，满足了低噪放高可靠性和用于高灵敏度电子设备中低噪声的要求。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/12/12
  • 委托机构 西安电子科技大学
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