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一种具有单向迟滞性的施密特触发器

1882018/08/20
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 系统集成
  • 项目名称 一种具有单向迟滞性的施密特触发器
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本实用新型涉及一种具有单向迟滞性的施密特触发器,包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管:所述第一PMOS管和第一NMOS管决定的输入电压值为所述施密特触发器的高电平的阈值电压;由所述第一PMOS管、第一NMOS管和第二PMOS管决定所述施密特触发器的低电平的阈值电压,即施密特触发器的迟滞电压;第二NMOS管和第三PMOS管组成反相器用以减小寄生电容加快反向迟滞的特性。本实用新型具有单向迟滞性的施密特触发器参数简单,所用管子数量少,占用的面积小。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/12/29
  • 委托机构 西安电子科技大学
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