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一种高温碳化硅功率器件封装结构及其制备方法

2152018/08/20
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种高温碳化硅功率器件封装结构及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明实施例提供了一种高温碳化硅功率器件封装结构及制备方法，涉及半导体器件封装领域，可以有效地增强器件寿命，提高器件稳定性，同时降低成本，简化工艺。所述封装结构包括：金属正电极(1)、金属负电极(3)以及所述金属正电极(1)与所述金属负电极(3)之间的碳化硅功率器件(2)，粘结层上层导热金属层(4)，粘结层下层导热金属层(7)，封装基板(8)，粘结所述金属负电极(3)与所述封装基板(8)的粘结层(5)，在所述粘结层(5)中形成的多个导热窗口(6)，多个所述导热窗口(6)在所述粘结层(5)中分布成阵列结构；散热器(10)以及与封装基板(8)之间的粘合层(9)。封装外壳，以及外部引脚。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/12/29
  • 委托机构 西安电子科技大学
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