西部产学研在线服务平台
| 关注我们
扫描二维码
口袋专利

专利在线查询

描二维码
西部产学研在线

官方公众号

|关于我们
平台简介 帮助中心
|网站导航
| 咨询热线：029-88202821
您当前的位置：科技成果 > 异沟道CMOS集成器件及其制备方法

异沟道CMOS集成器件及其制备方法

2162018/08/20
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 系统集成
  • 项目名称 异沟道CMOS集成器件及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明涉及一种异沟道CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；在SOI衬底上连续生长P型应变Ge层和P型应变Si层，以分别形成PMOS的沟道层和NMOS的沟道层；在P型应变Si层表面上采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，以分离形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀PMOS有源区表面的应变硅层，并向PMOS有源区内注入N型离子；在PMOS有源区指定位置处注入P型离子形成PMOS源漏区，在NMOS有源区指定位置处注入N型离子形成NMOS源漏区；在PMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成PMOS栅极；在NMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异沟道CMOS集成器件。本发明实施例实现了高性能异沟道CMOS器件的制备。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/01/02
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 分享至：