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基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法

2582018/08/17
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法，包括：1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定移相器等效电路参数；3)确定移相器的位数k；4)确定移相器的标准电容桥高度；5)给出初始电容桥的偏移量；6)利用单个电容桥的机电耦合模型，计算单个电容桥产生的相移量；7)计算移相器的相移量；8)计算移相器的偏差量；9)判断该电容桥高度情况下的移相器偏差量是否满足公差要求。本发明利用移相器电容桥结构参数和相移量之间的机电耦合模型，直接得到电容桥结构参数对移相器相移量的影响，快速给出合理的电容桥结构公差精度，降低加工成本和难度，缩短研制周期。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/01/16
  • 委托机构 西安电子科技大学
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