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N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

2812018/08/15
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ‑LDMOS器件结构中引入一层N型埋层，该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过了N型埋层的作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，N型埋层额外增加一条新的导电路径，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压、低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
交易信息