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结终端扩展终端结构

2512018/08/15
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 结终端扩展终端结构
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本实用新型涉及一种结终端扩展终端结构，该结构包括：SiC衬底层201；外延层202，设置于所述SiC衬底层201表面；结终端扩展区203，设置于所述外延层202内；有源区205，设置于所述结终端扩展区203一侧并位于所述外延层202内；钝化层204，设置于所述外延层202表面。本实用新型的终端结构通过线性变化的边缘电荷分布消除传统结终端扩展边缘处的单点锋锐电场峰，缓解结边缘的电场集中效应，从而降低器件由于单点高电场诱发额外漏电和提前击穿的风险，提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/03/06
  • 委托机构 西安电子科技大学
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