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基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管

2812018/08/15
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备场效应晶体管开态电流较低的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘介电质薄膜(5)及栅电极(6)。源极采用N组分为(0,0.05]的InAsN复合材料；沟道和漏极均采用Sb组分为[0.35,0.65]的GaAsSb复合材料；在衬底上，源极、沟道、漏极形成自下而上竖直分布。本发明通过源极InAsN与沟道GaAsSb两种材料相互接触，形成交错型异质隧穿结，进而有效降了低隧穿势垒高度，增大隧穿几率和隧穿电流，提了器件的整体性能，可用于制作大规模集成电路。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/03/06
  • 委托机构 西安电子科技大学
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