您当前的位置:科技成果 > 非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法

非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法

3232018/08/14
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种非Si掺杂无InGaN光LED材料及其制作方法。其生长步骤是:1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理;2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层;3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm,O掺杂浓度为2×1017cm‑3~2×1019cm‑3,C掺杂浓度为1×1017cm‑3~1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层;4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm,Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3~5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单,成本低,发光效率高的优点,可用于制作非极性a面GaN黄光发光二极管。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/03/06
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 分享至: