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T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法

2442020/05/28
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其结构自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(8)和保护层(11)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)、漏极(5)与栅极(7)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，钝化层(8)内刻有凹槽(9)，钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有T形栅场板(10)，该T形栅场板与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在凹槽(9)内。本发明具有制作工艺简单、击穿电压高、可靠性高和成品率高的优点。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/05/28
  • 委托机构 西安电子科技大学
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