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双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法

3032018/08/14
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明涉及一种双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法，该方法包括:(1)将所述MOS芯片固定在所述下支架(a)和所述上支架(b)之间；(2)测试所述MOS芯片未施加双轴应力前的第一输出特性曲线；(3)将所述顶头(c)放置在位于所述上支架(b)中间的第一螺孔中；(4)将所述精密螺杆组件(d)设置于所述上支架(b)上；(5)沿某一方向旋转螺杆转轴以对所述MOS芯片施加双轴应力；(6)固定所述顶头(c)，拆卸所述精密螺杆组件(d)，并测试所述MOS芯片施加双轴应力后的第二输出特性曲线；(7)对比所述第一输出特性曲线和所述第二输出特性曲线，以获得测试结果。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/03/06
  • 委托机构 西安电子科技大学
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