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带电容电源地平面建模及电容去耦半径仿真方法

3142018/08/14
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 带电容电源地平面建模及电容去耦半径仿真方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开的带电容电源地平面建模及电容去耦半径仿真方法，首先记录输入/输出端口和去耦电容端口的坐标；根据谐振腔公式或基于双频点近似算法谐振腔公式计算端口系数、每个谐振模式的频域响应；用端口系数、每个谐振模式的频域响应、模式数量、电容频域响应，电容数量求解每个电容分割方案；将分割后的电容转化到电源地平面谐振腔模型中得到带电容电源地平面谐振腔公式；用该谐振腔公式计算电源地平面实际频域阻抗分布，在阻抗分布基础上提取电容的去耦半径。本发明解决了谐振腔算法不能对带电容电源地平面建模的问题，为建模带负载电源地平面提供了一种快速，简便的方法，去耦半径为电源完整性设计中去耦电容的选择和放置提供可靠指导。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/03/06
  • 委托机构 西安电子科技大学
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