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基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED结构及其制作方法
基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED结构及其制作方法
275
2018/08/13
基本信息
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成果类型
高等院校
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委托机构
西安电子科技大学
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成果持有方
西安电子科技大学
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行业领域
微电子
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项目名称
基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED结构及其制作方法
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知识产权
发明专利
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成果成熟度
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项目简介
本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是:1)对c面蓝宝石进行热处理;2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层;3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm,Si掺杂浓度为5×1017cm‑3~5×1019cm‑3,C掺杂浓度为1×1017cm‑3~4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层;4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层;5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm,Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3~5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明工艺简单,成本低,可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。
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交易信息
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意向交易额
面议
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挂牌时间
2018/03/06
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委托机构
西安电子科技大学
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