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绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法

1782019/12/27
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，源极(4)与漏极(5)淀积在势垒层上，台面(6)制作在势垒层的侧面，绝缘栅极(8)淀积在绝缘介质层上，钝化层内刻有凹槽(10)，直角源场板(11)淀积在钝化层与保护层之间，直角源场板(11)靠近绝缘栅极一侧边缘与凹槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，该直角源场板与源极(4)电气连接，且下端完全填充在凹槽(10)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、可靠性高和成品率高的优点。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/12/27
  • 委托机构 西安电子科技大学
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