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加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

1312019/11/29
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物。所述栅电极、源电极、漏电极以及绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，硅化物位于绝缘层之上所述硅化物为块状，对绝缘层和AlGaN层引入压应力，硅化物之间的AlGaN层受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得AlGaN层总体获得张应力，从而使沟道中2DEG得到增强。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/11/29
  • 委托机构 西安电子科技大学
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