西部产学研在线服务平台
| 关注我们
扫描二维码
口袋专利

专利在线查询

描二维码
西部产学研在线

官方公众号

|关于我们
平台简介 帮助中心
|网站导航
| 咨询热线：029-88202821
您当前的位置：科技成果 > 一种具有连通型存储层的高压IGBT及其制造方法

一种具有连通型存储层的高压IGBT及其制造方法

1802019/11/20
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 成果持有方 西安理工大学
  • 行业领域 先进制造技术
  • 项目名称 一种具有连通型存储层的高压IGBT及其制造方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种具有连通型存储层的高压IGBT，在n‑硅衬底的上方中间沟槽内和两侧的平面部分有栅氧化层，栅氧化层上方设有T型的多晶硅层，称为沟槽‑平面栅极G；沟槽‑平面栅极G两侧n‑型硅衬底上各设有一个p基区，每个p基区内设有n+发射区，n+发射区上表面与p基区短路构成发射极E；在整个有源区内n‑漂移区上方与p基区相接处，设有连通的n存储层；在n‑漂移区下方依次设有n场阻止层、p+集电区、集电极C。本发明还公开了上述的具有连通型存储层的高压IGBT制造方法。本发明的高压IGBT结构，大幅度降低器件导通时的饱和电压，阻断电压高、导通损耗极低、闩锁电流密度较高、饱和电流密度较低。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/11/19
  • 委托机构 西安理工大学
  • 分享至：