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一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法

1682019/11/12
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 成果持有方 西安理工大学
  • 行业领域 先进制造技术
  • 项目名称 一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，激光器所用外延片结构由从下至上依次设置的衬底，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒区，上波导层，上限制层和上欧姆接触层组成；基模半导体激光器结构的上欧姆接触层的上表面设置有脊型波导，脊型波导位于基模半导体激光器的纵向中心线上，脊型波导的两端均设置有非吸收窗口，非吸收窗口与激光器的出腔面重合，脊型波导的两侧还设置有隔离沟槽，非吸收窗口和隔离沟槽下量子阱中形成禁带宽度变宽的区域，本发明的利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，具有更好的光场限制效果。本发明还公开了一种制作上述基模半导体激光器的方法，制作工艺简单，且具有更好的光场限制效果。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/11/12
  • 委托机构 西安理工大学
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