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基于局部最小化ROBDD及面积延迟优化的工艺映射的方法

1312019/11/08
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 基于局部最小化ROBDD及面积延迟优化的工艺映射的方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于局部最小化ROBDD及面积延迟优化的工艺映射的方法,通过ROBDD的域节点来产生部分备选划分,放松非关键路径上的节点延迟来优化面积的工艺映射方法;逻辑优化部分,采用了带共享的最小化Local ROBDD的数据结构,利用ROBDD的域节点及操作提高了电路分解效率,避免了由于枚举所有备选划分而造成的时间和内存的浪费;结构优化部分,改进了经典算法Flowmap为电路中的每个节点进行延迟标记最小化的思想,关键路径上进行min‑height min‑cost覆盖,非关键路径上进行min‑cost覆盖。本发明避免了产生所有备选划分的低效性和延迟与面积相互制约的缺点,满足了现场可编程器件芯片对LUT输入个数的要求,且达到优化电路面积和延迟的目标。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/11/08
  • 委托机构 西安电子科技大学
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