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一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

1742019/10/25
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 机械工程及自动化
  • 项目名称 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括：漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区，其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高的击穿电压，由于重掺杂的埋层可以使得漂移区增加浓度，从而降低比导通电阻，并且由于漂移区受到的埋层作用是四个方向的，因此击穿电压和比导通电阻的优化可以得到最佳。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/10/25
  • 委托机构 西安电子科技大学
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