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垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法

3082018/08/10
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法，该器件从下往上依次包括硅衬底、弛豫SiGe缓冲层、弛豫Si0.7Ge0.3虚衬底、n+δ掺杂层、弛豫Si0.7Ge0.3间隔层、应变Si沟道、弛豫Si0.7Ge0.3中间层、应变Si0.5Ge0.5沟道、弛豫Si0.7Ge0.3帽层和应变Si帽层。本发明采用张应变Si材料作n‑MOSFET沟道，压应变SiGe材料作p‑MOSFET沟道，n‑MOSFET与p‑MOSFET采用垂直层叠结构，二者共用一个多晶SiGe栅电极，电子和空穴的迁移率均有较大提高，提高了芯片的集成度、速度，为Si基器件和集成电路的高速、高频化发展开辟新的技术途径。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/03/16
  • 委托机构 西安电子科技大学
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