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一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制备方法

1202019/10/16
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制造方法，主要解决器件边缘电场集中效应严重和漏电流过大导致的击穿电压过低和可靠性等问题，其特点是在传统JBS器件结构基础上引入沟槽MOS结构，从而达到缓解P结边缘电场集中，降低漏电流的作用。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/10/16
  • 委托机构 西安电子科技大学
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