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用于长波光通信的光电探测器及制备方法
用于长波光通信的光电探测器及制备方法
323
2018/08/10
基本信息
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成果类型
高等院校
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委托机构
西安电子科技大学
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成果持有方
西安电子科技大学
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行业领域
电子元器件
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项目名称
用于长波光通信的光电探测器及制备方法
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知识产权
发明专利
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成果成熟度
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项目简介
本发明涉及一种用于长波光通信的光电探测器及其制备方法,其中,所述制备方法包括:选取N型Si或SOI衬底;在所述衬底上生长Ge缓冲层;在所述Ge缓冲层上生长N型GeSn缓冲层;在所述GeSn缓冲层上生长GeSn/Ge多量子阱有源层;在所述GeSn/Ge多量子阱有源层上生长GeSn接触层;在所述GeSn接触层上采用等离子体化学气相沉积工艺生长SiO2;光刻引线以制备所述光电探测器。本发明制备的用于长波光通信的光电探测器测器兼容Si CMOS工艺,克服了暗电流大,低于1800nm连续波段探测问题,高效,且能够在GeSn量子阱中引入不同的应变,调节量子阱的带隙结构以扩展光电探测器的吸收波长范围和吸收系数。
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交易信息
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意向交易额
面议
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挂牌时间
2018/03/16
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委托机构
西安电子科技大学
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