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探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法

3062018/08/09
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明涉及一种探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法。所述制备方法包括步骤：(a)选取N型Ge衬底；(b)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型Ge衬底上形成N型GeSiSn缓冲层；(c)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型GeSiSn缓冲层上形成所述Ge/GeSiSn量子阱结构；(d)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述Ge/GeSiSn量子阱结构上形成P型Ge接触层；(e)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述P型Ge接触层上形成SiO2层；(f)金属化并光刻引线形成所述红外光电探测器。本发明实施例制备并提供探测范围可调的IV族红外光电探测器。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/03/16
  • 委托机构 西安电子科技大学
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