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应变SiGeSn鳍型光电探测器

1242019/09/19
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 应变SiGeSn鳍型光电探测器
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种应变SiGeSn鳍型光电探测器，主要解决现有光电探测器中材料毒性大、成本高的问题。其自下而上包括：下电极(102)、吸收区(103)、上电极(104)和应力薄膜(105)；吸收区(103)采用空隙与SiGeSn复合材料相交错构成的鳍型结构，该SiGeSn复合材料在衬底(101)上外延不同组分的Ge和Sn获得，其通式为Si1‑x‑yGeySnx，其中0≤x≤0.25，0≤y≤0.75；应力薄膜(105)包裹在吸收区(103)的侧面和上电极(104)表面。本发明通过应力薄膜(105)在SiGeSn复合材料中产生的应变改变吸收区(103)带隙，提高了探测器的光谱响应范围。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/09/19
  • 委托机构 西安电子科技大学
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