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具有阶梯缓冲层结构的4H?SiC金属半导体场效应晶体管

1222019/07/29
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 具有阶梯缓冲层结构的4H?SiC金属半导体场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种具有阶梯缓冲层结构的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极与源极帽层之间形成凹陷栅源漂移区，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P型缓冲层的上端面靠近源极帽层处设有凹槽，凹槽内靠近漏极帽层一侧设有两个台阶。本发明具有击穿电压稳定，输出漏极电流高的优点。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/07/29
  • 委托机构 西安电子科技大学
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