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采用金属发射极的碳化硅双极型晶体管器件及其制作方法

1262019/07/26
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 采用金属发射极的碳化硅双极型晶体管器件及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种采用金属发射极的碳化硅双极型晶体管器件及其制作方法，用肖特基金属作为发射极，避免了传统结构中的发射区刻蚀工艺，降低了器件制作难度，同时大幅度提高了器件的特性，通过控制所述的肖特基金属层材料以及对基区表面进行处理来提高器件的电流增益。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/07/26
  • 委托机构 西安电子科技大学
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